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| 64K = 8K x 8 Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection Features • Fast Read Access Time – 150 ns • Automatic Page Write Operation – Internal Address and Data Latches for 64 Bytes • Fast Write Cycle Times – Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum – 1 to 64-byte Page Write Operation • Low Power Dissipation – 40 mA Active Current – 100 & 956 A CMOS Standby Current • Hardware and Software Data Protection • DATA Polling and Toggle Bit for End of Write Detection • High Reliability CMOS Technology – Endurance: 100,000 Cycles – Data Retention: 10 Years • Single 5V & 177 10% Supply • CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs • JEDEC Approved Byte-wide Pinout • Commercial and Industrial Temperature Ranges | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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